透明导电氧化物（TCO）薄膜主要应用于平板显示、电致发光显示、透明薄膜晶体管、太阳能电池透明电极等产业领域。随着相关产业的发展，透明导电薄膜将会有较大的应用和发展空间。早期的透明导电薄膜主要以掺锡氧化铟（ITO）为代表，但铟是贵金属，资源稀缺，且性能不稳。氧化锌掺杂的透明导电薄膜是最有希望替代ITO的新材料。
我校电子工程学院吴木营等老师使用射频磁控溅射法在玻璃基底上制备出了锰掺杂氧化锌（MZO）透明导电薄膜。通过设定制备过程中的溅射时间，分别研究了薄膜厚度对MZO薄膜的结构、光学和电学特性的影响。研究发现，当厚度为500nm时，可得最低电阻率9.6 × 10−4Ω.cm；随着厚度增加，薄膜的结晶度得到提高；平均光透过率超过84%。此外，研究使用多体效应修正的铂斯坦—莫斯移动，对不规范的光学带隙的变化进行了解析。这一种锰掺杂氧化锌薄膜是性能较好的透明导电薄膜，有潜在的应用价值。对其制备工艺和性能的进一步研究，具有较大的实用意义和一定的科学意义。
该研究成果《Structural, optical, and electrical properties of Mo-doped ZnO thin films prepared by magnetron sputtering》发表在《Applied Surface Science》上。该刊物为中科院JCR数据库中的SCI二区TOP期刊、我校T类三级刊物，影响因子为2.711。
